將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機(jī)平衡力對(duì)于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 TCR、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、無(wú)感抗、無(wú) ESD 感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。
這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過(guò)有選擇地消除內(nèi)在“短板”進(jìn)行修整。當(dāng)需要按已知增量加大電阻時(shí)，可以切割標(biāo)記的區(qū)域 （圖2），逐步少量提高電阻。
合金特性及其與基片之間的熱機(jī)平衡力形成的標(biāo)準(zhǔn)溫度系數(shù)，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內(nèi)為 ± 1 ppm/°C （Z 箔為0.05 ppm/°C） （圖3）。
采用平箔時(shí)，并聯(lián)電路設(shè)計(jì)可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH.最大電容為 0.05 pF.1-kΩ 電阻設(shè)置時(shí)間在 100 MHZ以下小于 1 ns.上升時(shí)間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對(duì)于中間值僅略有下降。沒(méi)有振鈴噪聲對(duì)于高速切換電路是十分重要的，例如信號(hào)轉(zhuǎn)換。
100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對(duì)比可用以下公式表示：
交流電阻/直流電阻 = 1.001
金屬箔技術(shù)全面組合了高度理想的、過(guò)去達(dá)不到的電阻特性，包括低溫度系數(shù)（0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C），誤差達(dá)到 ± 0.005 % （采用密封時(shí)低至 ± 0.001 %），負(fù)載壽命穩(wěn)定性在 70 °C,額定加電2000小時(shí)的情況下達(dá)到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時(shí)為 0.1 ppm/°C,抗 ESD 高達(dá) 25 kV.
性能要求
當(dāng)然并非每位設(shè)計(jì)師的電路都需要全部高性能參數(shù)。技術(shù)規(guī)格相當(dāng)差的電阻同樣可以用于大量應(yīng)用中，這方面的問(wèn)題分為四類(lèi)：
?。?） 現(xiàn)有應(yīng)用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級(jí)。
（2） 現(xiàn)有應(yīng)用需要一個(gè)或多個(gè)，但并非全部“行業(yè)最佳”性能參數(shù)。
?。?） 先進(jìn)的電路只有利用精密電阻改進(jìn)的技術(shù)規(guī)格才能開(kāi)發(fā)。
?。?） 有目的地提前計(jì)劃使用精密電阻滿足今后升級(jí)要求 （例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節(jié)省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本）。
例如，在第二 （2） 類(lèi)情況下，一個(gè)參數(shù)必須根據(jù)所有參數(shù)的經(jīng)濟(jì)性加以權(quán)衡。與采用全面優(yōu)異性能的電阻相比，這樣可以節(jié)省成本，因?yàn)椴恍枰{(diào)整電路 （及組裝相關(guān)組件的成本）。主要通過(guò)電阻而不是有源器件提高精度也可以節(jié)省成本，因?yàn)橛性雌骷晕⑻岣咭稽c(diǎn)性能所需的成本要比電阻高的多。另一個(gè)問(wèn)題是：“利用高性能電阻提高設(shè)備性能是否可以提高市場(chǎng)的市場(chǎng)占有率
