MOS管和IGBT管都可以用作開關元件。
它們的形狀和特征參數(shù)也相似。
那么它們之間有什么區(qū)別呢？什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的縮寫。
它是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管。
它可以簡單地稱為“場效應管”。
MOS管有兩種主要類型：結型場效應晶體管（JFET）和絕緣柵型場效應晶體管。
（MOS管）。
由于場效應管的柵極被絕緣層隔離，因此也稱為絕緣柵場效應管。
MOSFET可分為四類：N溝道耗盡型和增強型； N型耗盡型和增強型。
P通道耗盡類型和增強類型。
一些MOSFET的內(nèi)部有一個二極管，它是一個體二極管，一個寄生二極管或一個續(xù)流二極管。
寄生二極管的作用有兩種解釋：1. MOSFET的寄生二極管用于防止VDD過壓時MOSFET燒壞。
2.反向連接MOS管的源極和漏極時，請防止MOS管燒毀。
當電路具有反向感應電壓時，它還可以提供反向感應電壓的路徑，以避免MOS管因反向感應電壓擊穿。
。
MOSFET具有高輸入阻抗，快速開關速度，良好的熱穩(wěn)定性，電壓控制電流等特性，并且可以在電路中用作放大器，電子開關等。
什么是IGBT管？絕緣柵雙極型晶體管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是由晶體管和MOS管組成的復合半導體器件。
IGBT管具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，電流大的特點。
它已被廣泛用于各種電子電路中。
IGBT管內(nèi)部的體二極管不是寄生的，而是經(jīng)過專門設置以保護IGBT的脆弱反向耐受電壓，也稱為FWD（續(xù)流二極管）。
IGBT管非常適合諸如交流電動機，變頻器，開關電源，照明電路，牽引驅(qū)動器和其他領域的應用。
MOS管和IGBT的結構特征IGBT是通過在MOSFET的漏極上添加一層來構造的。
對于具有類似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET的速度慢，因為IGBT具有關斷尾部時間。
由于IGBT的關斷尾端時間長，死區(qū)時間會更長，這會影響開關頻率。
如何選擇？在電路中，選擇MOS管還是IGBT管作為電源開關管是工程師經(jīng)常遇到的問題。
綜合考慮系統(tǒng)電壓，電流，開關功率等因素，可以總結出以下幾點：總的來說，MOSFET管的優(yōu)勢在于其良好的高頻特性，其工作頻率可以達到數(shù)百kHz和更高的MHz，缺點是在高電壓，大電流的情況下導通電阻大，功耗大。
IGBT處于低頻大電流狀態(tài)。
在電源情況下表現(xiàn)出色，具有低導通電阻和高耐壓。
MOSFET管用于開關電源，高頻感應加熱，高頻逆變焊機，鎮(zhèn)流器，通信電源和其他高頻電源領域； IGBT管集中在焊接機，電鍍和電解電源，逆變器和變頻器中。
，超音頻感應加熱等領域。
